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SiJ458DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.10
0.08
I D = 20 A
1
T J = 25 °C
0.06
0.1
0.01
0.001
0.04
0.02
0.00
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
200
160
120
80
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Junction Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
1
100 ms
1s
10 s
0.1
DC
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65709
S10-0640-Rev. A, 22-Mar-10
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